產品簡介
PSEM系列室溫電磁體探針臺是一款專門針對室溫可變磁場電測環(huán)境開發(fā)的探針臺,提供±0.6T垂直磁場或±0.3T水平磁場,能夠對2寸、4寸晶圓片進行重復性的、標準的電學實驗,外接不同的測試設備可以完成對器件的電學特性測量、參數(shù)測量、DC測量、RF測量和霍爾測量。

PSEM系列室溫電磁體探針臺是一款專門針對室溫可變磁場電測環(huán)境開發(fā)的探針臺,提供±0.6T垂直磁場或±0.3T水平磁場,能夠對2寸、4寸晶圓片進行重復性的、標準的電學實驗,外接不同的測試設備可以完成對器件的電學特性測量、參數(shù)測量、DC測量、RF測量和霍爾測量。
Avantgarde 室溫電磁鐵探針臺不僅可以完成永磁鐵探針臺所能完成的測試,并且可以為樣品測試提供一個可變磁場,磁場較強,磁場均勻區(qū)較大。此款探針臺專門為在測量過程中需要連續(xù)磁場變化的實驗設計,在室溫下對芯片、晶圓和器件進行非破壞測試。
PSEM系列室溫電磁體探針臺是一款專門針對室溫可變磁場電測環(huán)境開發(fā)的探針臺,提供±0.6T垂直磁場或±0.3T水平磁場,能夠對2寸、4寸晶圓片進行重復性的、標準的電學實驗,外接不同的測試設備可以完成對器件的電學特性測量、參數(shù)測量、DC測量、RF測量和霍爾測量。
特點
? 樣品座可以放置最大4英寸的晶圓樣品,通過移動樣品座下面的滑臺,可以實現(xiàn)X-Y軸±50mm的移動行程,并且樣品座本身可以進行三維上的精細調節(jié),使得樣品測試和換樣 更加便捷。
? 探針臂底座采用磁鐵吸附固定,可使探針在X-Y-Z三個維度上進行調節(jié),配合樣品座位移調節(jié),可滿足探針快速扎到最大4英寸樣品的任意位置(探針臂最多可安裝6個,水平 磁場電磁鐵探針臺最多可安裝4個)
? 探針臂采用三同軸線纜和三同軸接頭,漏電性小,漏電流在100fA以內,探針臂內置線纜,避免雜亂的走線
? 探針采用針套固定,只有針尖裸露在外,減小漏電
? 電磁鐵支架與探針臺采用分體隔離支架,在磁體運動時避免振動傳導到樣品上
? 樣品固定方式采用多孔分區(qū)吸附,有外圈、內圈和中間三個單獨控制的氣體吸附通道,最小可吸附固定1mm*1mm樣品
? CCD最大放大倍數(shù)為180倍,最大工作距離為100mm
型號分類:
| 型號 | PSEM-2H(水平磁場) | PSEM-2V(垂直磁場) | PSEM-4V(垂直磁場) |
| 樣品座尺寸 | 2英寸 | 2英寸 | 4英寸 |
參數(shù)和指標:
| 樣品座 | |
| 卡盤尺寸: | 2/4英寸,可定制 |
| 材質: | 無氧銅鍍金 |
| 樣品固定方式: | 多孔分區(qū)吸附有外圈、內圈和中間三個單獨控制的氣體吸附通道 |
| 滑臺 | |
| X-Y移動行程: | 2/4寸:±50mm(水平磁場探針臺無滑臺) |
| 移動精度: | 10μm |
| 探針臂 | |
| X-Y-Z移動行程: | X-13mm,Y-13mm,Z-13mm |
| 旋轉度: | 360度自由旋轉 |
| 移動精度: | 10μm |
| 探針臂數(shù)量: | 垂直磁場電磁鐵探針臺最多可安裝6個;水平磁場探針臺最多可安裝4個 |
| 電學線纜: | 三同軸線纜 |
| 漏電流: | 100fA |
| 探針類型: | 直流探針 |
| 光學系統(tǒng) | |
| 顯微鏡放大倍數(shù): | 10-180倍 |
| 顯微鏡工作距離: | 90-100mm |
| CCD相機分辨率: | 3800萬像素 |
| 電磁鐵組件(垂直磁場) | |
| 磁鐵型號: | EM-60V |
| 磁場大?。?br /> | ±0.6T |
| 磁鐵間距: | 30mm |
| 極柱: | 直徑60mm,標配一副50mm純鐵極頭 |
| 循環(huán)水冷卻 | |
| 電磁鐵組件(水平磁場) | |
| 磁鐵型號: | EM-30H |
| 磁場大?。?br /> | ±0.3T |
| 磁鐵間距: | 60mm |
| 極柱: | 標配一副60mm純鐵極頭 |
| 循環(huán)水冷卻 | |
| 可加選件 | |
| 光學平臺/直流探針/微波探針/樣品座/屏蔽箱/光纖 | |
集成電路
芯片
晶圓片